ซิลิคอนคาร์ไบด์ซับสเตรตเดี่ยว 6 นิ้ว ความนำไฟฟ้าสูง คลาส P ราคา, CNY/ชิ้น
คริสตัล 6 นิ้ว ทิศทาง 0001 4H-SiC ผิวขัดสองด้าน ความหยาบของพื้นผิวน้อยกว่า 0.2 นาโนเมตร ความหนา 350+- 25 ไมโครเมตร Doping N ความต้านทาน 0.0015-0.0025 โอห์ม.เซนติเมตร ด้านหน้าชิป Si ด้าน P
รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม 13%
ราคาหน้าโรงงาน
มาตรฐานองค์กรทั่วไป
แบรนด์:
Nanjing Mukonami เทคโนโลยีปักกิ่ง Tebowande ฯลฯ
ต้นฉบับ
12,000
CNY/ชิ้น
รวม VAT
567.11
100THB/ชิ้น
ไม่รวม VAT
501.87
100THB/ชิ้น
ธ.ค. 20,2024
วันที่เริ่มต้น: 2023-03-16
วันที่สิ้นสุด: ~
ช่วงราคา:11,500 ~ 12,500
แผนภูมิราคา
1 วัน
1 สัปดาห
1 เดือน
1 เดือน
3 เดือน
6 เดือน
1 ป
ข้อมูลราคาในอดีตของ SMM
ลงชื่อเข้าใช้หรือเข้าร่วมเพื่อดูราคาและค่าเฉลี่ยในอดีต
เข้าสู่ระบบ
ลงทะเบียน
คุณอาจสนใจ
ซิลิคอนคาร์ไบด์ซับสเตรตเดี่ยว 4 นิ้ว กึ่งฉนวน คลาส D, CNY/ชิ้น
คริสตัล 4 นิ้ว ทิศทาง 0001 4H-SiC ผิวขัดสองด้าน ความหยาบของพื้นผิวน้อยกว่า 0.2 นาโนเมตร ความหนา 500+- 25 ไมโครเมตร ด้านหน้า Si-face ชิ้น D
ซิลิคอนคาร์ไบด์ซับสเตรตเดี่ยว 6 นิ้ว กึ่งฉนวน คลาส D, CNY/ชิ้น
คริสตัล 4 นิ้ว ทิศทาง 0001 4H-SiC ผิวขัดสองด้าน ความหยาบของพื้นผิวน้อยกว่า 0.2 นาโนเมตร ความหนา 500+- 25 ไมโครเมตร ด้านหน้า Si-face ชิ้น D
ซิลิคอนคาร์ไบด์ซับสเตรตเดี่ยว 8 นิ้ว กึ่งฉนวน คลาส D, CNY/ชิ้น
คริสตัล 4 นิ้ว ทิศทาง 0001 4H-SiC ผิวขัดสองด้าน ความหยาบของพื้นผิวน้อยกว่า 0.2 นาโนเมตร ความหนา 500+- 25 ไมโครเมตร ด้านหน้า Si-face ชิ้น D
ซิลิคอนคาร์ไบด์ซับสเตรตเดี่ยว 4 นิ้ว ความนำไฟฟ้าสูง คลาส D, CNY/ชิ้น
คริสตัล 4 นิ้ว ทิศทาง 0001 4H-SiC ผิวขัดสองด้าน ความหยาบของพื้นผิวน้อยกว่า 0.2 นาโนเมตร ความหนา 350+- 25 ไมโครเมตร Doping N ความต้านทาน 0.0015-0.0025 โอห์ม.เซนติเมตร ด้านหน้าชิป Si ด้าน D
ซิลิคอนคาร์ไบด์ซับสเตรตเดี่ยว 6 นิ้ว ความนำไฟฟ้าสูง คลาส D, CNY/ชิ้น
คริสตัล 6 นิ้ว ทิศทาง 0001 4H-SiC ผิวขัดสองด้าน ความหยาบของพื้นผิวน้อยกว่า 0.2 นาโนเมตร ความหนา 350+- 25 ไมโครเมตร Doping N ความต้านทาน 0.0015-0.0025 โอห์ม.เซนติเมตร ด้านหน้าชิป Si ด้าน D
ซิลิคอนคาร์ไบด์ซับสเตรตเดี่ยว 4 นิ้ว กึ่งฉนวน คลาส P, CNY/ชิ้น
คริสตัล 4 นิ้ว ทิศทาง 0001 4H-SiC ผิวขัดสองด้าน ความหยาบของพื้นผิวน้อยกว่า 0.2 นาโนเมตร ความหนา 500+- 25 ไมโครเมตร ด้านหน้า Si-face ชิ้น P
ซิลิคอนคาร์ไบด์ซับสเตรตเดี่ยว 6 นิ้ว กึ่งฉนวน คลาส P, CNY/ชิ้น
คริสตัล 4 นิ้ว ทิศทาง 0001 4H-SiC ผิวขัดสองด้าน ความหยาบของพื้นผิวน้อยกว่า 0.2 นาโนเมตร ความหนา 500+- 25 ไมโครเมตร ด้านหน้า Si-face ชิ้น P
ซิลิคอนคาร์ไบด์ซับสเตรตเดี่ยว 8 นิ้ว กึ่งฉนวน คลาส P, CNY/ชิ้น
คริสตัล 4 นิ้ว ทิศทาง 0001 4H-SiC ผิวขัดสองด้าน ความหยาบของพื้นผิวน้อยกว่า 0.2 นาโนเมตร ความหนา 500+- 25 ไมโครเมตร ด้านหน้า Si-face ชิ้น P
ซิลิคอนคาร์ไบด์ซับสเตรตเดี่ยว 4 นิ้ว ความนำไฟฟ้าสูง คลาส P, CNY/ชิ้น
คริสตัล 4 นิ้ว ทิศทาง 0001 4H-SiC ผิวขัดสองด้าน ความหยาบของพื้นผิวน้อยกว่า 0.2 นาโนเมตร ความหนา 350+- 25 ไมโครเมตร Doping N ความต้านทาน 0.0015-0.0025 โอห์ม.เซนติเมตร ด้านหน้าชิป Si ด้าน P
ซิลิกาคุณภาพสูง มองโกเลียใน, CNY / เมตริกตัน
（SiO2≥99%、 Fe203≤0.1%、 Ca0≤0.1%、 Al203≤0.1%）
