โลหะซิลิคอนรีไซเคิล (#2205) ราคา, CNY / เมตริกตัน
Si≥99.55%；Fe≤0.2%，Al≤0.2%，Ca≤0.05%
รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม 13%
ราคารับที่โรงงาน
GB/T 2881-2014
ต้นฉบับ
12,450
CNY / เมตริกตัน
รวม VAT
595.12
100THB/เมตริกตัน
ไม่รวม VAT
526.66
100THB/เมตริกตัน
พ.ย. 12,2024
วันที่เริ่มต้น: 2023-07-25
วันที่สิ้นสุด: ~
ช่วงราคา:12,400 ~ 12,500
แผนภูมิราคา
1 วัน
1 สัปดาห
1 เดือน
1 เดือน
3 เดือน
6 เดือน
1 ป
ข้อมูลราคาในอดีตของ SMM
ลงชื่อเข้าใช้หรือเข้าร่วมเพื่อดูราคาและค่าเฉลี่ยในอดีต
เข้าสู่ระบบ
ลงทะเบียน
คุณอาจสนใจ
โลหะซิลิคอนรีไซเคิล (#3303), CNY / เมตริกตัน
Si≥99.37%；Fe≤0.3%，Al≤0.3%，Ca≤0.03%
โลหะซิลิคอนรีไซเคิล (#331), CNY / เมตริกตัน
Si≥99.3%；Fe≤0.3%，Al≤0.3%，Ca≤0.1%
ซิลิคอนคาร์ไบด์ซับสเตรตเดี่ยว 8 นิ้ว กึ่งฉนวน คลาส D, CNY/ชิ้น
คริสตัล 4 นิ้ว ทิศทาง 0001 4H-SiC ผิวขัดสองด้าน ความหยาบของพื้นผิวน้อยกว่า 0.2 นาโนเมตร ความหนา 500+- 25 ไมโครเมตร ด้านหน้า Si-face ชิ้น D
ซิลิคอนคาร์ไบด์ซับสเตรตเดี่ยว 4 นิ้ว กึ่งฉนวน คลาส D, CNY/ชิ้น
คริสตัล 4 นิ้ว ทิศทาง 0001 4H-SiC ผิวขัดสองด้าน ความหยาบของพื้นผิวน้อยกว่า 0.2 นาโนเมตร ความหนา 500+- 25 ไมโครเมตร ด้านหน้า Si-face ชิ้น D
ซิลิคอนคาร์ไบด์ซับสเตรตเดี่ยว 6 นิ้ว กึ่งฉนวน คลาส D, CNY/ชิ้น
คริสตัล 4 นิ้ว ทิศทาง 0001 4H-SiC ผิวขัดสองด้าน ความหยาบของพื้นผิวน้อยกว่า 0.2 นาโนเมตร ความหนา 500+- 25 ไมโครเมตร ด้านหน้า Si-face ชิ้น D
ซิลิคอนคาร์ไบด์ซับสเตรตเดี่ยว 4 นิ้ว ความนำไฟฟ้าสูง คลาส D, CNY/ชิ้น
คริสตัล 4 นิ้ว ทิศทาง 0001 4H-SiC ผิวขัดสองด้าน ความหยาบของพื้นผิวน้อยกว่า 0.2 นาโนเมตร ความหนา 350+- 25 ไมโครเมตร Doping N ความต้านทาน 0.0015-0.0025 โอห์ม.เซนติเมตร ด้านหน้าชิป Si ด้าน D
ซิลิคอนคาร์ไบด์ซับสเตรตเดี่ยว 6 นิ้ว ความนำไฟฟ้าสูง คลาส D, CNY/ชิ้น
คริสตัล 6 นิ้ว ทิศทาง 0001 4H-SiC ผิวขัดสองด้าน ความหยาบของพื้นผิวน้อยกว่า 0.2 นาโนเมตร ความหนา 350+- 25 ไมโครเมตร Doping N ความต้านทาน 0.0015-0.0025 โอห์ม.เซนติเมตร ด้านหน้าชิป Si ด้าน D
ซิลิคอนคาร์ไบด์ซับสเตรตเดี่ยว 4 นิ้ว กึ่งฉนวน คลาส P, CNY/ชิ้น
คริสตัล 4 นิ้ว ทิศทาง 0001 4H-SiC ผิวขัดสองด้าน ความหยาบของพื้นผิวน้อยกว่า 0.2 นาโนเมตร ความหนา 500+- 25 ไมโครเมตร ด้านหน้า Si-face ชิ้น P
ซิลิคอนคาร์ไบด์ซับสเตรตเดี่ยว 4 นิ้ว ความนำไฟฟ้าสูง คลาส P, CNY/ชิ้น
คริสตัล 4 นิ้ว ทิศทาง 0001 4H-SiC ผิวขัดสองด้าน ความหยาบของพื้นผิวน้อยกว่า 0.2 นาโนเมตร ความหนา 350+- 25 ไมโครเมตร Doping N ความต้านทาน 0.0015-0.0025 โอห์ม.เซนติเมตร ด้านหน้าชิป Si ด้าน P
ซิลิกาคุณภาพสูง มองโกเลียใน, CNY / เมตริกตัน
（SiO2≥99%、 Fe203≤0.1%、 Ca0≤0.1%、 Al203≤0.1%）
