Harga lokal akan segera diumumkan, harap ditunggu!
Tahu

Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 6 inci Konduktivitas Tinggi Kelas D Harga, CNY/piece

6 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 350+- 25 μ M N didoping resistivitas 0,0015-0,0025 Ω. cm depan Si bidang D chip
13% VAT termasuk
Harga ex-pabrik
Standar umum perusahaan
Merek:
Nanjing Muke Nanotechnology, Beijing Tebo Wande, dll.
Asli
4,500
CNY/piece
Termasuk PPN
97,826.09
100IDR/piece
Tidak termasuk PPN
86,571.74
100IDR/piece
time
Nov 13,2024
Tanggal Mulai: 2023-03-16
Tanggal Berakhir: ~
Rentang Harga:4,000 ~ 5,000

Grafik Harga

1 H
1 M
1 B
1 Bulan
3 Bulan
6 Bulan
1 Tahun

Data Historis Harga SMM

Masuk atau bergabung untuk melihat harga dan rata-rata historis.

Anda mungkin tertarik

Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 4 inci Semi-Isolasi Kelas D, CNY/piece
4 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang D irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 6 inci Semi-Isolasi Kelas D, CNY/piece
6 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang D irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 8 inci Semi-Isolasi Kelas D, CNY/piece
8 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang D irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 4 inci Konduktivitas Tinggi Kelas D, CNY/piece
4 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 350+- 25 μ M N didoping resistivitas 0,0015-0,0025 Ω. cm depan Si bidang D chip
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 4 inci Semi-Isolasi Kelas P, CNY/piece
4 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang P irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 6 inci Semi-Isolasi Kelas P, CNY/piece
6 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang P irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 8 inci Semi-Isolasi Kelas P, CNY/piece
8 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang P irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 4 inci Konduktivitas Tinggi Kelas P, CNY/piece
4 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 350+- 25 μ M N didoping resistivitas 0,0015-0,0025 Ω. cm depan Si bidang P chip
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 6 inci Konduktivitas Tinggi Kelas P, CNY/piece
6 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 350+- 25 μ M N didoping resistivitas 0,0015-0,0025 Ω. cm depan Si bidang P chip
Silika Kelas Tinggi Mongolia Dalam, CNY/mt
(SiO2≥99%、 Fe203≤0.1%、 Ca0≤0.1%、 Al203≤0.1%)
Obrolan langsung melalui WhatsApp