Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 8 inci Semi-Isolasi Kelas D Harga, CNY/piece
8 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang D irisan
13% VAT termasuk
Harga ex-pabrik
Standar umum perusahaan
Merek:
Nanjing Muke Nanotechnology, Beijing Tebo Wande, Vital, etc
Asli
45,000
CNY/piece
Termasuk PPN
978,260.87
100IDR/piece
Tidak termasuk PPN
865,717.61
100IDR/piece
Nov 13,2024
Tanggal Mulai: 2024-02-28
Tanggal Berakhir: ~
Rentang Harga:43,500 ~ 46,500
Grafik Harga
1 H
1 M
1 B
1 Bulan
3 Bulan
6 Bulan
1 Tahun
Data Historis Harga SMM
Masuk atau bergabung untuk melihat harga dan rata-rata historis.
Masuk
DAFTAR
Anda mungkin tertarik
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 4 inci Semi-Isolasi Kelas D, CNY/piece
4 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang D irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 6 inci Semi-Isolasi Kelas D, CNY/piece
6 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang D irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 4 inci Konduktivitas Tinggi Kelas D, CNY/piece
4 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 350+- 25 μ M N didoping resistivitas 0,0015-0,0025 Ω. cm depan Si bidang D chip
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 6 inci Konduktivitas Tinggi Kelas D, CNY/piece
6 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 350+- 25 μ M N didoping resistivitas 0,0015-0,0025 Ω. cm depan Si bidang D chip
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 4 inci Semi-Isolasi Kelas P, CNY/piece
4 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang P irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 6 inci Semi-Isolasi Kelas P, CNY/piece
6 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang P irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 8 inci Semi-Isolasi Kelas P, CNY/piece
8 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang P irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 4 inci Konduktivitas Tinggi Kelas P, CNY/piece
4 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 350+- 25 μ M N didoping resistivitas 0,0015-0,0025 Ω. cm depan Si bidang P chip
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 6 inci Konduktivitas Tinggi Kelas P, CNY/piece
6 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 350+- 25 μ M N didoping resistivitas 0,0015-0,0025 Ω. cm depan Si bidang P chip
Silika Kelas Tinggi Mongolia Dalam, CNY/mt
（SiO2≥99%、 Fe203≤0.1%、 Ca0≤0.1%、 Al203≤0.1%）
