Đế silicon carbide đơn tinh thể dẫn điện cao 6 inch loại D Giá, CNY/cái
tinh thể 6 inch định hướng 0001 4H-SiC mài bóng hai mặt độ nhám bề mặt nhỏ hơn 0,2nm độ dày 350+- 25 μ M độ dẫn N điện trở suất 0,0015-0,0025 Ω. cm phía trước mặt phẳng Si chip D
Đã bao gồm 13% VAT
Giá xuất xưởng
Tiêu chuẩn doanh nghiệp chung
Thương hiệu:
Công nghệ nano Mukonomi Nam Kinh, Tebowande Bắc Kinh, v.v.
Gốc
4,500
CNY/cái
Đã bao gồm VAT
636.06
USD/cái
Không bao gồm VAT
562.89
USD/cái
Th09 24,2024
Ngày bắt đầu: 2023-03-16
Ngày kết thúc: ~
Khoảng giá:4,000 ~ 5,000
Biểu đồ giá
1 Ngày
1 Tuần
1 Tháng
1 Tháng
3 Tháng
6 Tháng
1 Năm
Dữ liệu lịch sử Giá SMM
Đăng nhập hoặc tham gia để xem giá lịch sử và trung bình.
Đăng nhập
ĐĂNG KÝ
Bạn có thể quan tâm
Đế silicon carbide đơn tinh thể bán cách điện 4 inch loại D, CNY/cái
Hướng kết tinh 4 inch 0001 4H-SiC bề mặt đánh bóng hai mặt độ nhám bề mặt nhỏ hơn 0.2nm độ dày 500+- 25 μ M lát Si phía trước D
Đế silicon carbide đơn tinh thể bán cách điện 6 inch loại D, CNY/cái
6 inch định hướng tinh thể 0001 4H-SiC bề mặt đánh bóng hai mặt độ nhám bề mặt ít hơn 0,2nm độ dày 500+- 25 μ M mặt Si phía trước lát D
Đế silicon carbide đơn tinh thể bán cách điện 8 inch loại D, CNY/cái
8 inch định hướng tinh thể 0001 4H-SiC bề mặt đánh bóng hai mặt độ nhám bề mặt ít hơn 0,2nm độ dày 500+- 25 μ M mặt Si phía trước lát D
Đế silicon carbide đơn tinh thể dẫn điện cao 4 inch loại D, CNY/cái
tinh thể 4 inch định hướng 0001 4H-SiC mài bóng hai mặt độ nhám bề mặt nhỏ hơn 0,2nm độ dày 350+- 25 μ M độ dẫn N điện trở suất 0,0015-0,0025 Ω. cm phía trước mặt phẳng Si chip D
Đế silicon carbide đơn tinh thể bán cách điện 4 inch loại P, CNY/cái
4 inch định hướng tinh thể 0001 4H-SiC bề mặt đánh bóng hai mặt độ nhám bề mặt ít hơn 0,2nm độ dày 500+- 25 μ M mặt Si phía trước lát P
Đế silicon carbide đơn tinh thể bán cách điện 6 inch loại P, CNY/cái
6 inch định hướng tinh thể 0001 4H-SiC bề mặt đánh bóng hai mặt độ nhám bề mặt ít hơn 0,2nm độ dày 500+- 25 μ M mặt Si phía trước lát P
Đế silicon carbide đơn tinh thể bán cách điện 8 inch loại P, CNY/cái
8 inch định hướng tinh thể 0001 4H-SiC bề mặt đánh bóng hai mặt độ nhám bề mặt ít hơn 0,2nm độ dày 500+- 25 μ M mặt Si phía trước lát P
Đế silicon carbide đơn tinh thể dẫn điện cao 4 inch loại P, CNY/cái
tinh thể 4 inch định hướng 0001 4H-SiC mài bóng hai mặt độ nhám bề mặt nhỏ hơn 0,2nm độ dày 350+- 25 μ M độ dẫn N điện trở suất 0,0015-0,0025 Ω. cm phía trước mặt phẳng Si chip P
Đế silicon carbide đơn tinh thể dẫn điện cao 6 inch loại P, CNY/cái
tinh thể 6 inch định hướng 0001 4H-SiC mài bóng hai mặt độ nhám bề mặt nhỏ hơn 0,2nm độ dày 350+- 25 μ M độ dẫn N điện trở suất 0,0015-0,0025 Ω. cm phía trước mặt phẳng Si chip P
Vân Nam SiO2 chất lượng thấp, CNY/tấn
（SiO2≥99% 、0.1%≤Fe203≤0.15%、 0.1%≤Ca0≤0.2%、 0.1%≤Al203≤0.5%）