Silicium métallique de qualité inférieure (Fe min. 1,2% max. 1,5%, Ca max. 0,3%) Prix, CNY/tonne
Teneur nominale Si≥97%, 1,2%≤Fe<1,5%, Ca≤0,3%
13 % TVA incluse
Prix négocié, prise en charge au dépôt du fabricant
GB/T 2881-2014 Silicium métal
Données brutes
10,050
CNY/tonne
TVA incluse
1,319.23
EUR/tonne
Hors TVA
1,167.46
EUR/tonne
déc. 26,2024
Date de début: 2021-07-16
Date de fin: ~
Plage de prix:10,000 ~ 10,100
Graphiques de prix
1 J
1 S
1 M
1 Mois
3 Mois
6 Mois
1 An
Historique des prix SMM
Connectez-vous ou inscrivez-vous pour voir les prix historiques et les moyennes.
SE CONNECTER
INSCRIPTION
Vous pourriez être intéressé
Silicium métallique de qualité inférieure (Fe min. 1,5% max. 1,8%, Ca min. 0,5%), CNY/tonne
Teneur nominale Si≥97%, 1,5%≤Fe<1,8%, Ca≤0,5%
Silicium métallique de qualité inférieure (Fe min. 1,8%, Ca min. 1,0%), CNY/tonne
Teneur nominale Si≥97%, Fe≥1,8%, Ca≥1,0%
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 4 pouces semi-isolé classe D, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 4 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche D
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 6 pouces semi-isolé classe D, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 6 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche D
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 8 pouces semi-isolé classe D, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 8 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche D
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 4 pouces de haute conductivité classe D, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 4 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 350+- 25 μm, dopé N, résistivité de 0,0015-0,0025 Ω.cm, face avant Si, puce D
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 6 pouces de haute conductivité classe D, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 6 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 350+- 25 μm, dopé N, résistivité de 0,0015-0,0025 Ω.cm, face avant Si, puce D
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 4 pouces semi-isolé classe P, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 4 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche P
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 6 pouces semi-isolé classe P, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 6 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche P
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 8 pouces semi-isolé classe P, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 8 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche P
