Les prix locaux devraient être publiés bientôt, restez à l'écoute !
D'accord

Substrat de carbure de silicium monocristallin de 8 pouces semi-isolé classe D Prix, CNY/pièce

Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 8 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche D
13% TVA incluse
Prix départ usine
Normes générales d''entreprise
Marque:
Nanjing Muke Nanotechnology, Beijing Tebo Wande, Vital, etc.
Données brutes
45,000
CNY/pièce
TVA incluse
5,904.89
EUR/pièce
Hors TVA
5,225.57
EUR/pièce
time
nov. 22,2024
Date de début: 2024-02-28
Date de fin: ~
Plage de prix:43,500 ~ 46,500

Graphiques de prix

1 J
1 S
1 M
1 Mois
3 Mois
6 Mois
1 An

Historique des prix SMM

Connectez-vous ou inscrivez-vous pour voir les prix historiques et les moyennes.

Vous pourriez être intéressé

Substrat de carbure de silicium monocristallin de 4 pouces semi-isolé classe D, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 4 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche D
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 6 pouces semi-isolé classe D, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 6 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche D
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 4 pouces de haute conductivité classe D, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 4 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 350+- 25 μm, dopé N, résistivité de 0,0015-0,0025 Ω.cm, face avant Si, puce D
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 6 pouces de haute conductivité classe D, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 6 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 350+- 25 μm, dopé N, résistivité de 0,0015-0,0025 Ω.cm, face avant Si, puce D
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 4 pouces semi-isolé classe P, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 4 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche P
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 6 pouces semi-isolé classe P, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 6 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche P
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 8 pouces semi-isolé classe P, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 8 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche P
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 4 pouces de haute conductivité classe P, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 4 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 350+- 25 μm, dopé N, résistivité de 0,0015-0,0025 Ω.cm, face avant Si, puce P
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 6 pouces de haute conductivité classe P, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 6 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 350+- 25 μm, dopé N, résistivité de 0,0015-0,0025 Ω.cm, face avant Si, puce P
Silice de haute qualité de Mongolie intérieure, CNY/tonne
(SiO2≥99%、 Fe203≤0.1%、 Ca0≤0.1%、 Al203≤0.1%)
Chat en direct via WhatsApp