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Substrat de carbure de silicium monocristallin de 4 pouces de haute conductivité classe P Prix, EUR/pièce

Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 4 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 350+- 25 μm, dopé N, résistivité de 0,0015-0,0025 Ω.cm, face avant Si, puce P
13% TVA incluse
Prix départ usine
Normes générales d''entreprise
Marque:
Nanjing Muke Nanotechnology, Beijing Tebo Wande, etc.
Hors TVA
498.82
EUR/pièce
TVA incluse
563.67
EUR/pièce
Données brutes
4,300
CNY/pièce
time
janv. 27,2025
Date de début: 2023-03-16
Date de fin: ~
Plage de prix:464.02 ~ 533.62

Graphiques de prix

1 J
1 S
1 M
1 Mois
3 Mois
6 Mois
1 An

Historique des prix SMM

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Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 8 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche P
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Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 6 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 350+- 25 μm, dopé N, résistivité de 0,0015-0,0025 Ω.cm, face avant Si, puce P
Silice de haute qualité de Mongolie intérieure, EUR/tonne
(SiO2≥99%、 Fe203≤0.1%、 Ca0≤0.1%、 Al203≤0.1%)
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