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Silicium métallique recyclé (#331) Prix, CNY/tonne

Si≥99,3%;Fe≤0,3%,Al≤0,3%,Ca≤0,1%
13% TVA incluse
Prix départ usine
GB/T 2881-2014
Données brutes
11,850
CNY/tonne
TVA incluse
1,555.51
EUR/tonne
Hors TVA
1,376.55
EUR/tonne
time
déc. 26,2024
Date de début: 2023-07-25
Date de fin: ~
Plage de prix:11,800 ~ 11,900

Graphiques de prix

1 J
1 S
1 M
1 Mois
3 Mois
6 Mois
1 An

Historique des prix SMM

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Silicium métallique recyclé (#2205), CNY/tonne
Si≥99,55%;Fe≤0,2%,Al≤0,2%,Ca≤0,05%
Silicium métallique recyclé (#3303), CNY/tonne
Si≥99,37%;Fe≤0,3%,Al≤0,3%,Ca≤0,03%
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 4 pouces semi-isolé classe D, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 4 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche D
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 6 pouces semi-isolé classe D, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 6 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche D
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 8 pouces semi-isolé classe D, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 8 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche D
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 4 pouces de haute conductivité classe D, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 4 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 350+- 25 μm, dopé N, résistivité de 0,0015-0,0025 Ω.cm, face avant Si, puce D
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 6 pouces de haute conductivité classe D, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 6 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 350+- 25 μm, dopé N, résistivité de 0,0015-0,0025 Ω.cm, face avant Si, puce D
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 4 pouces semi-isolé classe P, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 4 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche P
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 6 pouces semi-isolé classe P, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 6 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche P
Substrat de carbure de silicium monocristallin de 8 pouces semi-isolé classe P, CNY/pièce
Orientation cristalline 0001 4H-SiC de 8 pouces, double face polie, rugosité de surface inférieure à 0,2 nm, épaisseur de 500+- 25 μm, face avant Si, tranche P
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