Logam Silikon Kualitas Rendah (Fe min. 1.2% maks. 1.5%, Ca maks. 0.3%) Harga, CNY/mt
Kandungan nominal Si≥97%, 1.2%≤Fe<1.5%, Ca≤0.3%
13% VAT termasuk
Harga yang dibeli, mengambil pengiriman di gudang pembuat
GB/T 2881-2014 Logam silikon
Asli
10,050
CNY/mt
Termasuk PPN
222,345.13
100IDR/mt
Tidak termasuk PPN
196,765.71
100IDR/mt
Des 20,2024
Tanggal Mulai: 2021-07-16
Tanggal Berakhir: ~
Rentang Harga:10,000 ~ 10,100
Grafik Harga
1 H
1 M
1 B
1 Bulan
3 Bulan
6 Bulan
1 Tahun
Data Historis Harga SMM
Masuk atau bergabung untuk melihat harga dan rata-rata historis.
Masuk
DAFTAR
Anda mungkin tertarik
Logam Silikon Kualitas Rendah (Fe min. 1.5% maks. 1.8%, Ca min. 0.5%), CNY/mt
Kandungan nominal Si≥97%, 1.5%≤Fe<1.8%, Ca≤0.5%
Logam Silikon Kualitas Rendah (Fe min. 1.8%, Ca min. 1.0%), CNY/mt
Kandungan nominal Si≥97%, Fe≥1.8%, Ca≥1.0%
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 4 inci Semi-Isolasi Kelas D, CNY/piece
4 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang D irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 6 inci Semi-Isolasi Kelas D, CNY/piece
6 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang D irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 8 inci Semi-Isolasi Kelas D, CNY/piece
8 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang D irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 4 inci Konduktivitas Tinggi Kelas D, CNY/piece
4 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 350+- 25 μ M N didoping resistivitas 0,0015-0,0025 Ω. cm depan Si bidang D chip
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 6 inci Konduktivitas Tinggi Kelas D, CNY/piece
6 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 350+- 25 μ M N didoping resistivitas 0,0015-0,0025 Ω. cm depan Si bidang D chip
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 4 inci Semi-Isolasi Kelas P, CNY/piece
4 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang P irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 6 inci Semi-Isolasi Kelas P, CNY/piece
6 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang P irisan
Substrat Karbida Silikon Kristal Tunggal 8 inci Semi-Isolasi Kelas P, CNY/piece
8 inci orientasi kristal 0001 4H-SiC permukaan dipoles dua sisi kekasaran kurang dari 0,2nm ketebalan 500+- 25 μ M depan Si bidang P irisan
